科技巨头拟直接注资 SK 海力士 全球内存短缺恐延至 2030 年

  半导体产业链的权力结构正在经历深刻重构。近期消息显示，为确保未来高带宽内存供应稳定，多家全球大型科技公司已主动向 SK 海力士提出，愿直接出资协助其购买高端半导体设备，甚至为新晶圆厂的建设提供资金支持。这种下游客户直接介入上游产能建设的模式在存储芯片行业极为罕见，标志着人工智能算力竞赛正迫使供应链关系发生根本性变化。

  据行业人士透露，部分科技客户已提出协助 SK 海力士采购荷兰 ASML 的极紫外光刻机，这类单台设备价格高达数亿美元且供货周期长，已成为全球先进芯片扩产的核心瓶颈。此外，也有客户提议为 SK 海力士位于韩国龙仁的新 DRAM 晶圆厂一期工程提供资金。SK 海力士对此回应称，公司正全面审查各种非常规协议的结构性替代方案，但未进一步透露细节。

  当前 SK 海力士可用产能被形容为几乎为零，这种情况在全球内存产业历史上前所未见。过去 DRAM 与 NAND Flash 内存通常依照市场需求预测生产，再通过公开市场销售，但随着 AI 基础设施投资大爆发，科技公司对高带宽内存需求急速攀升，下游客户已从过去被动等待供货，转向主动介入上游产能建设。SK 集团董事长崔泰源今年三月发出明确预警，称全球内存供应短缺可能持续至 2030 年，供应缺口预计持续高于 20%。他指出要确保更多晶圆供应至少需要四年到五年，这是新产能建设周期决定的根本约束。

  三星电子与 SK 海力士近期也向投资人表示，供应吃紧情况至少到 2027 年前都难以明显改善。虽然三星内部研判短缺可能在 2028 年结束，亦有机构预计短缺将在 2027 年下半年因新增产能释放而缓解，但长期供应压力依然显著。为应对长期缺货风险，供应商与客户正讨论多种创新合作模式，包括事先设定年度价格上下限的价格区间协议，以及要求客户提前支付合约金额 30% 至 40% 现金的预付款机制。Meta 在财报电话会议上表示正在积极投资以满足基础设施需求，微软亦透露预计今年资本支出将增至 1900 亿美元，其中约 250 亿美元与芯片等组件成本上升相关。

  SK 海力士正通过龙仁半导体集群构建规模化的产能壁垒，该集群不仅是生产基地，更是耗资巨大的产业生态核心。2026 年 3 月，SK 海力士追加投资约 150 亿美元用于龙仁首座晶圆厂建设，累计投资金额已达 215 亿美元左右。该厂计划于 2027 年 2 月投产，定位为 HBM4 及更高代次产品的旗舰基地。在设备采购方面，SK 海力士已宣布将在 2027 年底前行向 ASML 采购价值近 80 亿美元的极紫外光刻机，成为近年来该设备商客户公开的最大一笔订单。

  受惠 AI 内存需求爆发，SK 海力士股价今年累计已大涨 154%，市值跃升为亚洲第三大半导体企业。数据显示，SK 海力士占据全球高带宽内存市场 57% 的份额和整体 DRAM 市场 32% 的份额。分析人士指出，大型科技公司之所以愿意直接投资产能，主要因为 AI 竞争已从单纯模型能力竞赛，进一步演变为算力与供应链掌控能力竞赛。谁能率先锁定高带宽内存供应，谁就能在下一轮 AI 基础设施竞赛中取得优势，这种产用联盟架构或将进一步改变全球半导体产业长期以来的商业模式与供应规则。